半导体设备供应商应用材料(Applied Materials)因应晶片制造商致力微缩制程、增加电晶体密度，宣布推出7项创新技术，协助客户运用极紫外光(EUV)持续进行2D微缩，并展示业界最完整的次世代3D环绕闸极(GAA)电晶体制造技术组合。

应材指出，晶片制造商正试图透过2种可相互搭配的途径来增加电晶体密度。一是依循传统摩尔定律的2D微缩技术，使用EUV微影系统与材料工程以缩小线宽。二是使用设计技术最佳化(DTCO)与3D技术，藉由最佳化逻辑单元布局来增加密度，不需改变微影间距。

应材指出，第二种方法需使用晶背电源分配网路与环绕闸极(GAA)电晶体，随着传统2D微缩技术逐渐式微，未来预计能有效提升逻辑单元密度比率。这些方法能帮助晶片厂商改善次世代逻辑晶片的功率、效能、单位面积、成本与上市时间(PPACt)。

应材针对延展2D微缩推出专为EUV设计的Stensar先进图案化薄膜，使用公司的Precision化学气相沉积(CVD)系统。相较于旋转式沉积技术，CVD薄膜能协助客户调整EUV硬质光罩层的厚度并获得蚀刻弹性，让转移至整个晶圆的EUV图案达到近乎完美的均匀度。

应材也展示PROVision电子束(eBeam)量测技术，可穿透晶片的多层结构，准确量测整个晶圆的EUV图案线宽，帮助客户解决边缘放置(edge placement)错误。应材指出，去年电子束系统营收成长达近一倍，已成为电子束技术最大供应商。

而应材针对3D GAA电晶体的闸极氧化层堆迭开发整合性材料解决方案(IMS)，将等效氧化厚度缩减1.5埃(angstrom)，使设计者能在不增加闸极漏电的情况下提高效能，或在保持效能不变的情况下将闸极漏电减少逾10倍。

应材亦展示用于GAA金属闸极堆迭工程设计的IMS系统，使客户能改变闸极厚度，以调整电晶体的阈值电压，满足从电池供电的行动装置到高效能伺服器等特殊运算应用的每瓦效能目标，并可在高度真空中执行高精度的金属ALD步骤，实现预防大气污染的目标。

应材半导体资深副总裁暨产品事业群总经理若杰(Prabu Raja)表示，公司的策略是成为「PPACt推动公司」(PPACt enablement company)，因此今天发表的7项创新技术，目的就是协助客户运用EUV以持续进行2D微缩。

若杰指出，应材详细说明GAA架构与当今的鳍式场效(FinFET)架构电晶体有何不同，并备妥为GAA的制造提供业界最完整的产品组合，包括在磊晶、原子层沉积、选择性去除材料的新步骤及2种新整合性材料解决方案(IMS)，以产生合适的GAA闸极氧化层与金属闸极。